■ 技術概要
本研究室では、磁性材料および磁性部品の先端開発を主軸としており、インダクタ、トランス、電力変換モジュール、ワイヤレス給電、EMI ／静電測定技術などを研究対象としている。近年では、ナノテスラレベル磁場モニタリング・抑制技術や磁気バイオメディカル応用分野へ研究領域を拡大している。主な研究内容には、材料微細構造制御、粒界特性および損失メカニズム解析、多層化プロセス、雰囲気焼結、自動化技術、磁気測定技術などが含まれる。
また、技術開発はスイッチング電源コンバータ向け磁性インダクタ、トランス、EMI フィルタのプロセスおよび部品設計にまで遡り、材料・プロセス・設備・製品を統合した技術推進体系を構築している。さらに、産業応用の実装を推進し、関連産業の市場競争力向上に取り組んでいる。
■ パワーインダクタ材料部品技術
▶ 910℃低温共焼成材料 ui=1~1200、Bs=2000~4300（gauss）
▶ 高周波結合電力インダクタ、周波数 1~4 MHz、直流特性 >10 A、インダクタ DCR~1 m Ω
▶ 大電流対応パワーインダクタ、インダクタンス L=0.25~0.68 μH、DC 電流耐性 Isat ≧ 50 A、温度耐性≧125℃
■ 高透磁率基板技術
▶ 薄型・フレキシブル・高透磁率材料
▶ 透磁率 >200、従来の複合材料の限界を突破できる
▶ 薄層基板厚み： 0.05 ~ 1.0 mm
■ 3 次元磁場・電場シミュレーション解析技術
▶ 軟磁性／硬磁性部品の電磁界解析
▶ インダクタ／トランス／ EMI 部品設計
▶ ワイヤレス給電・バイオメディカル向け磁場シミュレーション
▶ 静電検出器および構造評価
■ EMI ／静電気測定および材料ソリューション
▶ 周波数範囲：～ 1 GHz、分解能：約 500 × 500 μm
▶ RFID タグ／ワイヤレス充電近傍界測定
▶ 漏洩磁場測定：ナノテスラレベル対応
▶ 2D ／ 3D 磁場分布解析
▶ 放射ノイズスペクトラムおよびノイズ源位置解析
▶ EMI 干渉対策評価
▶ 高度静電検出・抑制評価
■ Contact Us
Material and Chemical Research Laboratories
Dept. of Magnetic Materials and Devices(I400)
Shi-Yuan Tong
Tel:+886-3-5918750
E-mail:SYTong@itri.org.tw
Magnetic Materials Component Technology