場發射穿透式電子顯微鏡 Field Emission Transmission Electron Microscopy
穿透式電子顯微鏡 Transmission Electron Microscope

場發射穿透式電子顯微鏡(FE-TEM)

Field Emission Transmission Electron Microscopy

一、設備基本資料:

功能簡介:

場發射穿透式電子顯微鏡,可同時分析材料影像、微結構、成份、鍵結等訊息。本儀器包含原子級解析率(0.19nm)之高解析影像(High Resolution Lattice Image)分析能力、配備有X射線能量散佈分析儀(EDX)、電子能量損失光譜儀(EELS)、附有高角度環狀偵測器(High-Angle Annular Detector)之掃瞄影像觀測元件(Scanning Image Observation Device, STEM)、數位掃瞄影像擷取系統(Digiscan Image Acquisition System )。

應用領域:

一般半導體、金屬、陶瓷、高分子材料均可,可分析影像、微結構、成份、鍵結等訊息。

二、設備型錄資料:

廠牌及型號: JEOL JEM-2100F

詳細功能規格:

重要規格:
電子源: ZrO/W (100), schottky type(場發射式)
加速電壓: 最高可至200Kv
傾斜角度: 正負25度
倍率:
最低 50X-最高 1,500,000X
電子束尺寸(Probe Size): TEM Mode: 2 ~ 5nm dia、EDS Mode: 0.5 ~ 2.4 nm dia、NBD Mode: 0.5 ~ 2.4 nm dia、CBD Mode: 0.5 ~ 2.4 nm dia.
  解析度(Resolution): Point Resolution: 0.19 nm (can achieve to 0.136nm)、Lattice Resolution: 0.1 nm (取決於試片厚度條件、愈薄(<30nm)愈平坦愈容易達到)
主要附件: 含EDS、EELS、STEM、HAADF、Digiscan Image Acquisition System。
儀器性能: RTEM、Nano-beam analysis( > 0.5nm)、EELS、EDX 與HAADF。

服務項目:

影像、成份、微結構、鍵結等分析。

案件處理時間:

一般件: 15個工作天
急件: 7個工作天
特急件: 3個工作天(依儀器預約狀況,評估接件可能性)

特別注意事項:

人員配合事項: FETEM需高真空操作,樣品欲委託操作,需與負責人討論試片製作方式與可否操作,避免污染與傷害機器為主要原則。
不提供服務項目: 目前為維持儀器正常運作,暫不提供粉末與強磁材料委託分析。

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穿透式電子顯微鏡(TEM)

Transmission Electron Microscope

一、設備基本資料:

功能簡介:

TEM可分析材料型態、晶體結構、高解析晶格影像,配合上EDS、EELS、STEM、ADF等工具,可測量材料微區成分、鍵結等微細結構訊息。

應用領域:

包含半導體、金屬、陶瓷、碟片…等材料之微結構分析、微區成分分析、製程分析、故障分析等。

二、設備型錄資料:

廠牌及型號: JEOL JEM-2000EX and JEOL JEM-2000FX

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詳細功能規格:

重要規格: JEM-200EX :LaB6 200kV電子槍、JEM-2000FX:W 200kV電子槍10-5Pa真空度。
主要附件: EDS、EELS、STEM。
儀器性能: 線解析度0.14nm, 點解析度0.3nm, tilt angle EX:±10°FX:±25°。

服務項目:

影像分析、高解析影像分析、微區成分分析。

特別注意事項:

樣品或試片準備需知: 樣品材質為固體、尺寸>0.2cm,特殊材質另議。
不提供服務項目: 樣品屬於高蒸氣壓,且易污染chamber者,恕不分析。

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