日本Oxide Power Crystal、產業技術綜合研究所(AIST)、名古屋大學、MIPOX等組成的研究團隊成功開發出新型碳化矽(SiC)晶圓的製造技術。該技術以溶液成長法為基礎，結合人工智慧(AI)與數位分身(Digital Twin)技術，並已試作出p型6吋(150 mm)晶圓以及n型6吋與8吋(200 mm)晶圓，實現了既有方法難以達成的大口徑p型SiC晶圓製造，藉此可望推進實用化。
p型SiC晶圓可望成為次世代超高耐電壓功率元件的重要材料而受矚目，但以往的昇華法難以精準控制摻雜劑(Dopant)，因此難以實現大口徑化。此次新技術以名古屋大學開發的超高品質SiC溶液成長法為基礎，結合先進的數位技術進而得以實現。
此次研究中，名古屋大學與AIxtal負責高速模擬分析，針對溫度場、濃度場與流動場的控制策略進行分析，尋找出最適條件。在此基礎上，UJ-Crystal提供結晶成長基本配方的技術知識；Oxide Power Crystal則利用成長設備完成結晶成長的實證，同時開發出商業化所需之量產製程。此外， SiC研磨技術大廠MIPOX與AIST亦共同參與。整體開發計畫則獲得日本新能源產業技術綜合開發機構(NEDO)的資助支持。