日本昭和電工材料公司新開發了一項可應用於高速、大容量之5G通訊電子機器用途的聚合物，且同時具備了低介電損耗與適用於形成微細圖案之「光蝕刻法(Photolithography)」的兩種相反特性，未來可望應用於高性能半導體封裝用絕緣材料等用途。
昭和電工材料開發的是丙烯酸酯系(Acrylate)的聚合物，在末端擁有「羧基(Carboxyl)」的分子構造。由於此項官能基的特性，對於鹼性水溶液具有溶解性，因此可應用做為光蝕刻法中使用的感光性材料。然而在鹼性顯像液的溶解性與低介電性呈現相反關係，昭和電工材料則透過將聚合物中的部分官能基以加熱處理後去除的方式，最終形成減少了高頻電氣訊號損失的絕緣層。
在性能評估試驗中，加熱前的聚合物對於鹼性水溶液的溶解速度為每分鐘52.5 nm，達到與光蝕刻法中使用的一般感光性材料同等程度。而聚合物中的官能基在經過150℃、60分鐘左右的加熱後達到完全分解，介電特性(包含PET薄膜基材的數值)方面的介電率為3.5，介電損耗則是0.05，與加熱前的數值4以上、0.1以上相比，兩項特性的數值均大幅減少。
昭和電工材料表示，新開發的聚合物可望應用於半導體晶片與母板相接的「半導體封裝基板」，或是將多個晶片與基板進行電氣連接之高性能中間元件「中介層」的絕緣材料等用途。今後該公司將著手推動進一步降低介電率、介電損耗之技術開發，預計在2～3年內將新聚合物的介電特性提升至實用等級。