eChem Solutions Japan公司開發了一項世界首次可利用近紅外光的微影曝光技術(Lithography)。近紅外線光的透過性高，具有即使是厚膜光阻(Thick-film Photoresist)也能讓光線到達下方的特徵。eChem計畫將新技術應用於黑色光阻，並展開在次世代顯示器用途的應用開發。目前已與數家海外面板製造商著手進行應用評估，預計在明年春天開始量產。微影製程曝光所用的光線為紫外光，目前以波長較短的極紫外光(EUV)最受矚目，而利用長波長的近紅外光則是一項相反角度的發想，與裝置業者共同合作開發的話，將可望創造出新市場機會。
使用於微影曝光的光源有i－line(波長365 nm)、KrF(波長248 nm)、ArF(波長193 nm)等紫外光，波長越短，越能提高解析度，因此先進半導體利用EUV(波長13.5 nm)，實現了迴路線寬5 nm的製程。不過，波長越短，也越容易有光線被吸收的問題。目前世界上並不存在利用波長比可見光更長之近紅外光(700～1,000 nm)微影曝光技術，除了沒有利用近紅外光的發想之外，與近紅外光反應的光啟始劑(Photoinitiator)、光致產酸劑(Photoacid generator)等光反應物質也不存在。
此次eChem利用對近紅外光有反應的敏化染料，成功地實現了近紅外線曝光。敏化染料吸收了近紅外光的能量，被激發的能量傳導至光反應物質，進而產生了近紅外光的光反應。eChem計畫將近紅外光的高透過性活用於黑色光阻領域。一般黑色光阻採用遮光性較高，可廣泛應用於紫外光到紅外光的碳黑。以現狀而言，碳黑適用於顯示器的彩色濾光片是因為彩色濾光片的膜厚僅有2～3 μm，而eChem將近紅外光的適用目標設定在於膜厚10 μm以上的曝光。eChem採用僅有近紅外光能透過的黑色顏料，因此不僅活用近紅外光的高透過性，並同時在可見光領域實現了與碳黑相當的高遮光性。未來可望應用於備受期待之次世代顯示器QD Micro Display的高背黑色撥液隔牆(Bank)用途。
eChem自行製作了近紅外光的曝光裝置，在形成圖案時的膜厚達到20 μm，且反應速度快，膜厚甚至可到100 μm。雖然解析度僅有5～10 μm，但eChem的目標並非半導體用途，而是將目標設定在顯示器用途，目前已達到可使用水準。目前eChem也已與台灣、中國的面板製造商展開商樣評估，預計在今年內將有技術上的進展，並計畫自明年春天開始量產。
不過目前的課題是世界上尚未有近紅外光曝光裝置，因此需要儘早找到合作業者，完成材料與裝置一體化之近紅外光曝光系統的設計製造。既有的紫外光曝光光源使用高壓水銀燈，且周邊裝置也須有高度的波長控制技術。而近紅外光曝光使用的是LED或雷射光，無需嚴謹的波長控制，因此具有降低導入成本或消耗電力的優點。