全球首例實現100mm氧化鎵磊晶量產技術

 

刊登日期:2021/7/21
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日本AGC及JX金屬投資的Novel Crystal日前表示已經成功量產次世代功率半導體-100 mm尺寸的氧化鎵(Ga2O3)磊晶晶圓,並開始販售,同時也是全球首次確立的大型晶圓量產技術。今後做為高性能且低成本之元件,將推動實用化計畫,預計至2024年左右每月會有1,000~1,500片的產量。

Novel Crystal於2019年開發出2吋(50×8 mm)磊晶晶圓的製造技術,但僅止於研發用途。延續過往的研究基礎,這次新開發出100 mm用的成膜裝置,進而實現更大型且高品質的磊晶晶圓製造與銷售。今後將在這100 mm的量產線上實現氧化鎵功率元件的量產,並著手計畫要在2025年達成中耐壓元件的自家量產。

氧化鎵被稱之為「第三代寬能隙(Wide Band Gap; WBG)半導體」,係繼碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)之後備受業界關注的次世代材料。由於可以製造出高性能且低成本的功率半導體,因此世界各廠家爭相投入研發。物性方面,由於氧化鎵有4.5 eV的能隙能量,更勝於碳化矽及氮化鎵,可製造出更低損耗的功率半導體,且製程上適用於融液成長法的結晶製法,與碳化矽及氮化鎵相比,可以百倍成長速度製作出高品質大型單結晶基板,大幅減少功率半導體的製造成本,被業界寄予高度期待而稱之為「夢想的新材料」。


資料來源: 化學工業日報/材料世界網編譯
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