耐熱超過300℃的功率半導體接合材料

 

刊登日期:2020/2/19
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M Npra將供應高性能功率半導體的接合材料。這種接合材料係將金屬互化物(IMC)奈米複合化後而成,耐熱性能達300℃以上,遠勝無鉛焊料、奈米銀粒子。目前已經進展到用於SiC/GaN半導體時的最終可信度評鑑階段,目標在2021年正式實用化。

新開發的接合材料使用的是銀-錫類的IMCC奈米複合材料,銀-錫類材料雖然也是焊料的一種,但錫的體積容易變動,容易產生晶鬚是為課題。M Npra透過奈米複合化技術帶來的尺寸效應,解決了這些問題。相關人員表示,由於基板介面不易產生氣泡,耐熱衝擊性相當優異。

目前業界多採用高價陶瓷為基板材料,由於新接合材料適用於有絕緣層的銅基板,可望降低成本。除了功率半導體,還可望橫向展開至高輝度LED、IoT感應器的封裝用途上,實現更大範圍的工作溫度。


資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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