碳化矽晶體材料技術發展

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碳化矽(SiC)有較高的能隙,因此SiC元件遇到高溫、高壓、高電流時,比起Si或GaAs元件特性更穩定,能源轉換也更好,是可預期的明日之星

2022. 1. 10 出刊
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材料最前線

 

 

 

碳化矽晶體材料技術發展

碳化矽因其優越的物理性能寬能隙、高電載子移動率、高熱導率,使用它做成的元件有更優越的工作溫度、電壓、頻率、功率範圍及低的能量消耗等特性;再加上近幾年全球氣候異常、環保意識抬頭,各國政府努力降低碳排放,發展太陽能、風能、電動車等議題,都需要應用到高功率元件,因而碳化矽被預期是未來半導體材料的新寵。碳化矽元件應用的領域主要是高頻、高功率的電子市場,包括:5G通訊站、電力站、軌道交通、太陽能電力轉換、電動汽車等。根據 IHS Markit 資料,2019 年碳化矽功率元件市場規模約6.1億美元,2025年碳化矽功率元件的市場規模將達到30億美元,年均複合速率達到30.4%。由於SiC產業有很大的商機---《本文節錄自「材料最前線」專欄(作者:黃崇傑/工研院綠能所),更多資料請點選 MORE 瀏覽》
 
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