矢野經濟預估:2027年WBG半導體單晶的全球市場將擴大2.8倍

 

刊登日期:2021/10/28
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根據矢野經濟研究所調查,隨著SiC實用化的引領,2021年寬能隙(Wide Band Gap;WBG)半導體單晶的全球市場將較2020年增加8.6%達124億日圓,2025年可望成長2倍,2027年則成長2.8倍。此次調查內容包含SiC(高頻率元件用、LED單晶用除外)、GaN、Ga2O3、AlN 及鑽石,以廠商的出貨金額進行估算。而在功率裝置正式普及的背景下,推測GaN與Ga2O3這類半導體單晶也會有所成長,另外以殺菌用途為主的AlN也同樣會獲得更廣泛的採用。

目前SiC已獲採用於多種用途,其中車載應用可望讓SiC在2023年後急速成長。GaN目前以LED、LD等照明用途為主,由於其優異性能,在功率裝置與高頻用途的成長亦相當可期,如何實現晶圓大尺寸化的課題近來也有改善的趨勢。Ga2O3則是目前相當受矚目的次世代材料,具備成本與性能雙潛力,各廠皆以2025年實現量產為目標進行研發,包括晶圓的大尺寸化、機器電源的蕭特基二極體(Schottky diode; SBD)用途等研發主題。AlN則是做為深紫外光LED而受到關注,目前直徑2吋款已投入市場,因新冠肺炎疫情影響,在除菌/殺菌用途上的採用有所增長。殺菌功能除了水、物體表面、空間之外,亦可望應用於分析/檢查用設備。

此外,調查中也提到2027年寬能隙半導體單晶的全球市場規模為325億日圓,其中SiC佔72.9%為237億400萬日圓,GaN佔16.6%為54億日圓,Ga2O3佔5.8%為19億日圓,AlN佔3.3%為10億8000萬日圓,鑽石佔1.3%為4億3,900萬日圓,並預期2027年6吋SiC晶圓將會增多,且開始生產8吋晶圓。


資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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