可將SiC MOSFET可靠性提高10倍之裝置構造

 

刊登日期:2020/9/4
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Toshiba Electronic Devices & Storage發表開發了一項可提高碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)可靠性的裝置構造。在 MOSFET內部搭載肖特基勢壘二極體(Schottky Barrier Diode; SBD)為其構造特徵,可在抑制導通電阻(On-resistance)上升的同時,提高 MOSFET 10倍以上的可靠性。

Toshiba在 SiC MOSFET的內部採用了將 SBD與 PN二極體(Diode)並列的構造,解決了結晶缺陷擴張的問題。由於配置了導通電阻比 PN二極體更低的SBD,電流流向SBD端,抑止了PN二極體的通電,也因此防止了結晶缺陷的擴張,控制了導通電阻的變動。

此外,過去在 SiC MOSFET搭載了 SBD的裝置雖已達到實用化,但由於導通電阻變大之故,僅可適用於3.3kV等高耐壓製品。而此次開發的裝置構造,已將 MOSFET中的 MOSFET區域與 SBD區域的比例予以最適化,因此比既有技術能更成功地抑制導通電阻,進而達成了搭載 SBD且高可靠性、耐壓 1200V的 SiC MOSFET。Toshiba也計畫在8月下旬開始量產採用本技術的製品。

資料來源:https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html


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