日本NTT成功地開發了世界最高速動作的電晶體，開關(Switching)的切換在1秒內可動作8000億次，性能較過去提高了約10%。高速動作的電晶體對於每秒超過數兆位元(Terabit)的高速通訊是不可或缺的，NN也計畫將此次開發的電晶體應用在下一世代的6G無線通訊上，期在5年後達到實用化之目標。
新開發的電晶體係以磷化銦類(InP)化合物基板為基礎，再將磷化銦鎵(Indium Gallium Phosphide)、砷化銦鎵銻(Indium Gallium Arsenide Antimony)、磷化銦(InP) 分別做為射極、基極、集極之材料，以極薄厚度堆積而成。過去使用矽做為基極材料，具有開關(Switching)次數停留在100億次以下的問題，而NTT利用獨家結晶製造技術，製作出基極層10 nm、集極層40 nm的極薄構造，進而實現了高速化。
然而新開發的電晶體要達到實用化，仍有課題待解決，包括提高電晶體動作的穩定性、信賴性，以及迴路化等，預估尚需5年的時間。