新非揮發性記憶體

 

刊登日期:2004/2/11
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日本的旭硝子公司與東北大學工學研究科的小柳光正教授的研究小組,利用高密度金屬奈米粒子,共同開發出即使切斷電源,記憶內容也不會流失的新型非揮發性記憶體「Metal Nano Dot Memory」其資料保持性較快閃記憶體為佳,可望取代快閃記憶體。其基本技術將授權予半導體製造業者。

 

數位家電的普及,提高了對高密度的非揮發性記憶體的需求,快閃記憶體市場雖然一直擴大中,但關係資訊保持特性的Tunnel氧化膜的薄膜化已經面臨極限。

為解決此課題,經多方研究材料的構造,同時運用政府專案「Synergy Ceramics研究開發」的金屬超微粒子分散膜技術,而促成新記憶體的開發。

 

新記憶體係在保持電荷的Floating Gate上,採用高密度Metal Nano Dot分散膜(MND),除了可望大幅提高記錄資料的保持時間與改寫次數以外,據云成膜也比較容易而且便宜,並且成膜後也毋需加熱等等。


資料來源: 日本工業新聞 2003/12/25
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