半導體性能飛躍式地提升，帶動極端紫外線(EUV)下世代曝光技術的問世，Lasertec (http://www.lasertec.co.jp/) 推出全球第一部基板檢查設備「ABICS」，可以正確無誤地查出電路原板(光罩)材料內部的微細缺陷。
為了因應微細化的半導體電路圖案轉寫至矽基板上，開發使用短波長EUV光源的技術。目前的尖端技術可做出寬度小於10奈米的電路，EUV曝光用光罩材料是在平板玻璃上形成80層的模。製程中玻璃上，或是多層膜內會有微粒子，致光罩有微小的凹凸，如果沒有檢查出這個凹凸缺陷，轉寫的電路會歪斜。然而，材料端很難完全沒有缺陷，為了掩示、隱藏缺陷，需有高精密的檢查設備，期能掌握缺陷的位置。
如果只進行表面檢查，無法發現光罩材料內部的缺陷。以光照射多層膜，由反射光可得知知缺陷位置。EUV光可射達多層膜的下層，藉由觀察反射光，檢知多層膜內的凹凸。即使是高1奈米、寬50奈米的微小凹凸，也可以100%檢出。先將光罩整個照光，確認有缺陷後，再以高倍率仔細檢查缺陷四周，如此，可以縮短檢查時間，確實掌握缺陷位置。檢查一片邊長142mm的光罩需45分鐘，缺陷位置的量測誤差小於20奈米。掌握缺陷位置後，在轉寫電路圖案時進行微調，即可忽略缺陷所造成的影響。
「ABICS」開發之初是與EUVL基盤開發中心合作，自2011年起耗時5年，確定檢查技術。接著開發量產用檢查設備，製造1號機。光罩材料則是與旭硝子與HOYA兩家公司合作。
EUV曝光的主流是ArF雷射，唯EUV光源壽命約15年，之後有功率不足的問題。預計數年後EUV將大量應用於半導體量產設備，Lasertec的檢查設備將逐步銷售予光罩材料廠，預期2019年可攻佔市場。
延伸閱讀：http://www.lasertec.co.jp/products/semiconductor/mask_semicon/abics_e120.html