日本產業技術總合研究所與太陽日酸、東京農工大學共同開發了一項可以低成本製造高效率太陽電池之裝置。發電部件使用了化合物半導體「砷化鎵(Gallium Arsenide；GaAs)」。以砷化鎵為基體材料的太陽能電池價格高昂，過去多採用於人工衛星等特殊用途上。若能達到製造低成本化，將可望開拓住宅或產業等一般用途。
研究團隊採用的製法係以氯化物(Chloride)氣體取代有機金屬進行結晶生成，此製法雖有品質穩定度的問題，但研究團隊改良了氣體供應噴嘴(Nozzle)，進而提高了品質。此外，研究團隊將新製造裝置中砷化鎵圓盤狀成膜的裝置以水平方向配置。由於過去垂直方向的配置，氣流會受到熱對流影響而產生紊亂，造成成膜大型化的困難。而新裝置可對基板均質地供應氣體，故可實現結晶的大型化。發電效率方面則與同樣的製造裝置相同，達到世界最高水準20.3%之發電效率。