3D IC檢測技術

 

刊登日期:2010/1/1
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3D IC的技術需取決於矽通孔技術能力、晶片接合時的對準能力、晶片之磨薄技術等,而這些問題是在2D IC技術上所未見的。由於製程結構的密度及複雜度前所未有,再加上傳統光學顯微鏡方法無法檢測多層且不透光之矽材質,目前多半以破壞性切片方法-掃描電子顯微術,來做晶片製程結構離線分析檢測。本研究團隊成功地應用紅外顯微檢測技術及反射儀檢測技術,於建立突破性的非破壞、可穿透矽基材、即時線上之3D IC檢測技術。


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