日本理化學研究所改良化粧品與醫藥用氧化鋅，開發出不含磁性元素具磁性的半導體。此項研究是日德合作的國際共同研究的成果，團隊成員除了理化學研究所外，還包括東京大學、東北大學、Max Planck微細結構物理學研究所(德)。
在氧化鋅結晶中導入原子尺寸的缺陷，冷卻到-173℃，外加1 Tesla的磁場，觀察到如電子磁石(自旋)般的「異常霍爾效應」，表現出磁石的性質。利用電子顯微鏡可觀察到材料內部有約0.01ppm，相當1個原子大小的缺陷，這個缺陷是電子自旋的關鍵。
磁記憶的研究中，常需將錳等磁性元素混入半導體中，藉由含磁性元素半導體的電子移動，可以進行高速計算，但是磁性元素會使半導體內部的電子移動速度變慢。新開發的材料不含磁性元素，兼具高速資料處理與資料記憶性。