NEPCON JAPAN 2012

  • 第41屆NEPCON JAPANxELECTRONIX R&D JAPAN於今年元月18-20日於日本東京展開。NEPCON展會於1972年為致力提升日本電子產業發展而創辦,30多年來,隨著日本電子產業發展,舉辦規模逐年擴大
    第41屆NEPCON JAPANxELECTRONIX R&D JAPAN於今年元月18-20日於日本東京展開。NEPCON展會於1972年為致力提升日本電子產業發展而創辦,30多年來,隨著日本電子產業發展,舉辦規模逐年擴大。NEPCON JAPAN現今已成為全球知名的電子封裝國際指標展覽會。2000年起為充實展出內容,參展範圍除了既有的生產設備外,更增加了如IC封裝技術、PCB、電子元件以及先進材料等相關產品及技術
  • Sumitomo Bakelite在專門技術研討會中,提出了pH值和氯離子Cl-濃度是影響構裝HAST信賴性的主要因素。圖中為pH與Cl-的HAST-MTTF實驗評估
    Sumitomo Bakelite在專門技術研討會中,提出了pH值和氯離子Cl-濃度是影響構裝HAST信賴性的主要因素。圖中為pH與Cl-的HAST-MTTF實驗評估
  • 日本NAMICS 是全球最大Underfill 封裝材料製造商,針對高密度覆晶構裝或3D IC 覆晶構裝用封裝材料課題介紹了該公司的半導體封裝技術發展趨勢
    日本NAMICS 是全球最大Underfill 封裝材料製造商,針對高密度覆晶構裝或3D IC 覆晶構裝用封裝材料課題介紹了該公司的半導體封裝技術發展趨勢
  • MAMICS公司利用模擬分析方法針對兩種不同構裝型式覆晶載具,探討封裝材料模數、Tg、熱膨脹係數等材料特對構裝翹曲、Bump strain和封裝材料自身破裂影響趨勢
    MAMICS公司利用模擬分析方法針對兩種不同構裝型式覆晶載具,探討封裝材料模數、Tg、熱膨脹係數等材料特對構裝翹曲、Bump strain和封裝材料自身破裂影響趨勢。low bump strain和low warpage以及high S-S curve area是未來覆晶封裝的技術開發主軸,左圖為覆晶封裝構型模擬分析
  • 在堆疊式覆晶封裝用Underfill 材料開發上, NAMICS 係結合真空輔助底部填充製程/ 設備(Vacuum Assist Capillary Underfill; VCUF)開發出具高產速、Void-free封裝技術
    在堆疊式覆晶封裝用Underfill 材料開發上, NAMICS 係結合真空輔助底部填充製程/ 設備(Vacuum Assist Capillary Underfill; VCUF)開發出具高產速、Void-free封裝技術
  • 與傳統底部填充封裝製程相較,NAMICS提出VCUF由於其製程壓差參數設計可以輔肋封裝材料均勻填充至非常細間隙的覆晶構裝底部,特別是晶片邊緣的角落,所以可以用壓差將空洞消除因而提高信賴性
    與傳統底部填充封裝製程相較,NAMICS提出VCUF由於其製程壓差參數設計可以輔肋封裝材料均勻填充至非常細間隙的覆晶構裝底部,特別是晶片邊緣的角落,所以可以用壓差將空洞消除因而提高信賴性
  • Namics現場展出以liquid compression molding製程進行12吋晶圓級封裝(Wafer level package),其液態封裝材料特性如右下圖。圖中為在12吋晶圓進行封裝後,看不出有明顯翹曲情形
    Namics現場展出以liquid compression molding製程進行12吋晶圓級封裝(Wafer level package),其液態封裝材料特性如右下圖。圖中為在12吋晶圓進行封裝後,看不出有明顯翹曲情形
  • 在晶片堆疊、覆晶構裝等大面積封裝或是細線路封裝製程方面,真空鋼板印刷製程則是越來越受到重視,Newlong公司在真空鋼板印刷設備開發上,可以依據鋼板厚度達到70~100μm之薄型封裝
    在晶片堆疊、覆晶構裝等大面積封裝或是細線路封裝製程方面,真空鋼板印刷製程則是越來越受到重視,Newlong公司在真空鋼板印刷設備開發上,可以依據鋼板厚度達到70~100μm之薄型封裝
  • CMK公司利用HDI技術提升密度及縮小ECU使用面積,將持續推出結合InterstitialViaHole (IVH) 和 Laser Via以及Buried hole技術,開發出2-4-2和3-2-3等8層高密度PWB,並將其應用在ECU(電子控制單元)產品上
    CMK公司利用HDI技術提升密度及縮小ECU使用面積,將持續推出結合InterstitialViaHole (IVH) 和 Laser Via以及Buried hole技術,開發出2-4-2和3-2-3等8層高密度PWB,並將其應用在ECU(電子控制單元)產品上
  • CMK公司展示不同結構方式的高密度連結技術(HDI)
    CMK公司展示不同結構方式的高密度連結技術(HDI)
  • CMK公司利用HDI技術提升密度及縮小ECU使用面積
    CMK公司利用HDI技術提升密度及縮小ECU使用面積
  • IC載板材料大廠味之素在展場展示增層基板薄膜材料技術
    IC載板材料大廠味之素在展場展示增層基板薄膜材料技術
  • IC載板材料大廠味之素在展場展示增層基板薄膜材料技術
    IC載板材料大廠味之素在展場展示增層基板薄膜材料技術
  • IC載板材料大廠味之素在展場展示增層基板薄膜材料技術
    IC載板材料大廠味之素在展場展示增層基板薄膜材料技術
  • 日立化成則針對新型LCP環氧樹脂技術進行技術發表及展品介紹,藉由環氧樹脂主鏈結構設計與加工製程參數調控混成材料的morphology,開發出熱傳導係數高於5.5W/mK之高導熱薄膜材料
    日立化成則針對新型LCP環氧樹脂技術進行技術發表及展品介紹,藉由環氧樹脂主鏈結構設計與加工製程參數調控混成材料的morphology,開發出熱傳導係數高於5.5W/mK之高導熱薄膜材料。目前日立化成已將此系列材料應用在LED、IGBT和CPU等半導體構裝產品上
  • 日立化成則針對新型LCP環氧樹脂技術進行技術發表及展品介紹,藉由環氧樹脂主鏈結構設計與加工製程參數調控混成材料的morphology,開發出熱傳導係數高於5.5W/mK之高導熱薄膜材料。目前日立化成已將此系列材料應用在LED、IGBT和CPU等半導體構裝產品上
    日立化成則針對新型LCP環氧樹脂技術進行技術發表及展品介紹,藉由環氧樹脂主鏈結構設計與加工製程參數調控混成材料的morphology,開發出熱傳導係數高於5.5W/mK之高導熱薄膜材料。目前日立化成已將此系列材料應用在LED、IGBT和CPU等半導體構裝產品上
  • 日立化成此新型構裝材料設計概念是如果單純添加高導熱性粉體,會造成材料加工性劣化和成本過高的問題,所以要從如何提昇高分子基材導熱特性來著手
    日立化成此新型構裝材料設計概念是如果單純添加高導熱性粉體,會造成材料加工性劣化和成本過高的問題,所以要從如何提昇高分子基材導熱特性來著手。日立化成也利用Bruggeman model 1計算分析了高導熱高分子對混成材料導熱增益性,只要基材的導熱係數從原來的0.2W/mk提高到0.4W/mk就可以大幅增益混成材料的導熱性

圖片提供:Nepcon Japan 2012 技術研討會、材料世界網 編輯室