日本高亮度光科學研究中心、東京工業大學、京都大學等機構所組成的研究團隊開發出可精確地以電壓控制特定材料來改變形狀的壓電材料新技術。
研究團隊在矽基板上重疊兩層典型的壓電材料－鋯鈦酸鉛(lead zirconate titanate, PZT)薄膜製做新元件；各層厚度僅70奈米，下層的鋯與鈦比例為七比三、上層的則是三比七。
以往的手法是使電壓產生靜電來改變形狀，因為誤差較大，故不適用於體積細小的微機電系統(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)。新技術則可將誤差降至原先的十分之一並且以200奈秒(nanosecond)之高速來變更形狀。今後，研究團隊將以高感度感測器之類的微機電系統領域為主，希望達到實用化目標。