日本物質材料研究機構於今(2010)年10/26公開發表，其將厚度為分子等級的氧化物奈米薄片(nano sheet)交互重疊，成功開發出世界最小的強介電體。新技術在成為強介電體奈米材料設計應用研究方針的同時，對於使用以低電壓便可運作之強介電體奈米薄膜製成的低耗電記憶體、IC晶片卡之開發也有密不可分的關係。
圖說：人工超晶格之透過型電子顯微鏡影像
研究團隊利用人工超晶格(Superlattice)技術製造全世界厚度最薄、僅10奈米的薄膜，開發出奈米等級的強介電體。新產品在室溫下展現出優越的強誘電性，這是首次以奈米物質之組合製作出強介電體。
新產品擁有與強介電體代表材料之鋯鈦酸鉛(Lead Zirconate Titanate, PZT)類似的構造，並使用兩種不含有毒物質鉛金屬的氧化物奈米薄片將之相互重疊製作人工超晶格。研究團隊讓接合部分的離子變位、容易分極以使新產品擁有強誘電性。由於這項技術不需要用到薄膜製程主流的大型真空設備或昂貴的成膜裝置，所以能夠以低成本方式進行生產；特別是不必經過熱處理程序，在室溫下就能製造強介電體薄膜，故可朝玻璃基板、塑膠基板上製作強介電體裝置等用途繼續研究。