透明氧化物電子材料的新進展

刊登日期:2010/3/5
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一般傳統電子材料的可見光透明度和導電性似乎是互相抵觸的;金屬和矽晶半導體材料導電但並不透明,而氧化物材料透明卻不導電。隨著光電應用和產業的發展需求,兼具可見光高透明度和可導電的電子材料,以及透明的主被動材料元件就變得很有必要。不論是平面顯示器面板產業或太陽光電元件產業、LED 發光二極體元件,甚至成熟中的電子紙、萌芽中的智慧窗等,皆能看到透明、導電的電子材料元件,在其中扮演舉足輕重的角色。

本期技術專題針對此在國際上快速進展中的α-IGZO 材料以「透明非結晶氧化物半導體及其顯示器應用國際會議紀要」一文,綜整產業最近研發活動現況,分享諸讀者。另外,在「透明氧化物薄膜電晶體技術及應用」一文中,則針對透明氧化物薄膜電晶體國內、外之技術研發現況和技術瓶頸等作了概略介紹。至於「透明導電薄膜材料於太陽電池元件之發展與應用」一文則是以新進發展的透明氧化物材料發展為主軸,介紹以高摻雜氧化物材料技術作為透明電極和應用,從透明導電薄膜角度出發,介紹目前常用的幾種透明導電薄膜材料在太陽電池元件中的應用與未來發展。「SnO2晶體摻雜 IA~VIIA 族元素全始計算」一文則介紹如何透過全始計算工具,節省實驗成本。專題內容涵蓋工研院正在發展中的透明氧化物之導體與半導體材料技術及其重點應用,期望藉由產業各界對此材料到產品應用的共同努力,確立台灣在透明電子產品與應用的領先地位。


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