日本太陽誘電推動功率覆蓋封裝技術早期實用化,並已少量客製化生產

 

刊登日期:2019/12/16
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日本太陽誘電公司針對次世代功率半導體,將推動功率覆蓋(Power Overlay;POL)封裝技術的實用化。由於該技術直接以銅導孔(Copper Via)將晶片、電子零組件與再配線層(Rewiring)連結,因此可同時達到小型化與高效率、高散熱之目的。目前太陽誘電已開始著手2~3層製品的少量生產,並展開多晶片化(Multichip)、基板嵌入等相關技術開發。

太陽誘電評估新技術的利用可到10萬伏安(VA)左右,將可望適用於氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)等化合物半導體元件,其中氮化鎵(GaN)方面,已開始提供車載用馬達驅動或轉換器用途之650V耐壓、48V交換模組等的商業樣品。有鑑於電動車(EV)、5G通訊伺服器用電源等的需求將會在數年內明顯浮現,太陽誘電將積極朝量產化推進。


資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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