日本理化學研究所與東京大學、東北大學的研究團隊利用鐵系高溫超傳導體的硒鐵（Iron Selenide；FeSe），予以極薄膜化之後，發現其熱電效果（席貝克效應；Seebeck Effect）呈現飛躍性上昇的狀態。研究團隊透過電氣化學手法，製作出硒鐵的奈米極薄膜，並對其熱電效果的膜厚相依性（Dependency）進行量測，結果發現接近1 nm的單層厚度（2次元物質）的席貝克係數（Seebeck Coefficient）是厚膜時的數百倍，熱電輸出功率因數則是增大了10萬倍。透過此次的研究成果，也顯示出受到高度控制的奈米物質做為熱電轉換材料的高度可能性。
席貝克效應是熱能與電能之間的一種固態能量轉換方式，由於可將熱能與電能互相轉換而應用於發電及致冷上，故被視為是一項環境發電的有力技術，在物聯網（IoT）的應用領域中，則可望做為感測器網絡的自立型電源進行利用。
硒鐵是鐵系高溫超導體的一種，具有簡單的結構，由鐵硒層一層層堆疊而成，超傳導臨界溫度(Critical Temperature；Tc)為8克耳文（Kelvin）（負265℃），若是單層薄膜的話，超傳導臨界溫度則超過40克耳文（負233℃）。研究團隊將硒鐵的樣本厚度等利用電壓進行控制，製作了金屬與硒鐵之間充滿離子液體的電雙層電容器Electrical Double Layer Transistor），並對其性質進行調查。結果發現膜厚1 nm的席貝克係數可增大至膜厚18 nm的數百倍。另對硒鐵奈米極薄膜在室溫以下的狀態進行調查後可知，熱電輸出功率因數在室溫下每K‧cm2則顯示出約260 μW的數值，50克耳文（負223℃）則達到了13000μW。此外，利用大體積鐵系高溫超傳導體的熱傳導率進行無因次性能指數（Dimensionless Performance Index）的預測發現顯示出極大的數值，因此可知硒鐵奈米極薄膜是極為優異的熱電物質。