以10倍速成長之高品質太陽電池用單晶矽薄膜

 

刊登日期:2018/4/25
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東京工業大學與早稻田大學的研究團隊於日前發表,成功地以一般10倍以上的成長速度形成太陽電池用高品質單晶矽薄膜,利用獨家開發之奈米表面粗度(Surface Roughness)控制技術,將結晶缺陷密度降低至晶圓(Wafer)等級。由於原理上原料產率(Yield)可提高至接近100%,因此將可望在維持單晶矽太陽電池發電效率的同時,大幅降低製造成本。

研究團隊利用電氣化學法在單晶矽晶圓表面製作2層多孔矽(Porous Silicon),並以獨家Zone Heating Recrystallization技術將表面粗度予以平滑化至0.2~0.3nm,再將其作為基板,利用急速氣相沉積法(Rapid Vapor Deposition; RVD),將原料溫度提高至比矽熔點還高的2000 ℃而得到高矽蒸氣壓,以每分鐘10μm的速度堆積矽,使結晶薄膜以高速成長。

成長膜可利用多孔矽(Porous Silicon)簡單地剝離,做為底材的基板就可以再利用做為薄膜成長用蒸發源,大幅減少原料損失。


資料來源: https://www.titech.ac.jp/news/2018/040762.html
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