傳統的化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition；CVD）是在真空狀態下藉反應氣體間的化學反應產生所需要的薄膜，但大面積化有其困難，花費成本大也是問題點之一。相對於CVD，霧化化學氣相沉積法（Mist Chemical Vapor Deposition；Mist-CVD）是將液體霧化之後再應用至成膜製程上。由於原料為液體，原料的選擇性大幅提高，不需真空處理亦使得大面積化變得可行，有助於降低成本支出。 霧化化學氣相沉積法的應用範疇之一即氧化鎵（Gallium Oxide）半導體。雖然被認為將取代矽的次世代電力元件-碳化矽（Silicon Carbide；SiC）、氮化鎵（Gallium Nitride；GaN）等的技術開發不斷演進，但日本 FLOSFIA 公司開發出能隙（Band Gap） 4.9 ~ 5.3eV（矽1.1 eV），低損耗性指標「Baliga性能指數」3444以上（GaN 870），電力損失極小的氧化鎵，並成功開發出世界最小導通電阻 0.1mΩ・cm2 的二極體（Diode）。相較於 SiC 二極體（0.7 mΩ・cm2），可降低 86% 的導通電阻。小型化亦使得封裝面積縮小，生產成本、設備投資等都可望相對降低。 此外，去年10月 FLOSFIA 在分離式元件（Discrete Devices）的開發亦已大有進展，今年 10月起將展開有價樣品的販售，並預計在 2018年建立完成量產體制。 資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 高功率元件用SiC載盤CVD製程氣體處理技術 複合多重模態原子層沉積製程技術 TORAY開發出適用於混合接合之新型絕緣樹脂材料 MIT開發出利用機器學習預測材料表面原子結構之方法 從MNC 2023國際研討會看先進半導體技術最新發展(下) 熱門閱讀 鋼鐵產業低碳製程技術發展趨勢 Ga2O3功率元件於電動車應用的發展(上) 高安全鋰電池材料與技術 固態鋰離子電池技術 聚焦二氧化碳再利用，推動脫化石資源依賴 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司