適用於寬能隙半導體的低溫燒結銀膠

 

刊登日期:2016/8/25
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寬能隙(Wide Band Gap;WBG)半導體可透過電力控制大幅減少電力損耗,因此對於能否在汽車電子等廣泛領域進行實用化之相關討論正如火如荼展開。然而在進行實用化的過程中,半導體與基板的接合一直是尚待克服的課題。若從耐熱溫度、接合強度、應力緩和等性能平衡觀點來看,使用燒結型的銀接合劑可望解決這些難題。
 
為降低封裝時的負荷以及半導體元件劣化等問題,目前可使用以奈米銀及特殊形狀銀製成的銀接合膠進行低溫燒結。但銀膠的安定性與高成本則成為難以廣泛運用的阻礙。對此日本 DAICEL 公司與大阪產業大學共同開發出可用於 WBG 半導體的低溫燒結銀膠。
 
這項產品是以微波結合可降低燒結溫度新型溶劑「CELTOL IA」、亞微米銀以及微米銀所製成,可在燒結溫度 180℃、接合強度30MPa以上、電阻低於5MΩ/cm2之低溫、無加壓環境中實現接合作業,提供了 WBG 半導體製造上更加簡便的方法。


資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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