全球首例以網版印刷應用於矽基板化合物太陽電池

 

刊登日期:2016/7/20
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日本 TOYO ALUMINIUM 公司發表了一項化合物太陽電池的基板形成技術,主要是應用了網版印刷技術,以簡單且低成本的製程,成功地在 6吋矽晶圓表面形成鍺(Ge)濃度超過 30% 的 SiGe 層。TOYO ALUMINIUM 表示此項網版印刷技術應用是世界首次,對矽基板化合物太陽電池或半導體領域的製造技術將有創新發展,未來也將積極與產業界、國內外研究機構攜手合作,加速研究技術商業化的腳步。
 
化合物太陽電池具有較高的轉換效率,化合物中III~V族化合物半導體約有 36%,理論值甚至可達近 50% 的光電轉換效率。然而利用 MOCVD 磊晶生長的方法,不僅設備及原料成本高,且磊晶長成需要時間。因此促使在低成本、高品質的基板上形成化合物的矽基板化合物太陽電池之相關研究紛紛展開,然而因矽與化合物之間性質上的差異,仍有許多待解決的問題存在。
 
TOYO ALUMINIUM 在網版印刷技術所開發出的新製程,不僅使用了含有鍺的油墨,更以其在成份與燒結工程上的專門技術,相較於以往的真空製程能夠製作出品質更佳的化合物層。此外,此項技術除應用在太陽電池開發上,對於異質接面雙極性電晶體 (Heterojunction Bipolar Transistor;HBT) 的研發亦有所助益。


資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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