材網編輯室/工研院材化所
一般來說，次世代貼合技術目前於實際應用雖尚未有大幅進展，不過隨著用途擴大，目前正朝著實用化的方向邁進。能夠製作出超越既有技術的超高性能元件，在未來將有機會以低價格推至市場。所以繼MEMS已達到實用化之後，高效率多接合太陽電池與SiC功率半導體，將有機會成為下世代的明星產品。
針對次世代貼合技術的課題，簡單歸納大致可以區分為三大類：（1）接合界面之導電性的提升；（2）接合時位置精度的提升；（3）真空設備等成本課題。可以看到市場上的產品應用，多是從課題容易解決的領域，或者課題有解決方向的應用開始展開。
舉MEMS的應用為例，其對於（1）接合界面之導電性與（2）接合時位置精度的要求並不那麼嚴苛，實際上在近30年的常溫接合歷史中，MEMS一直是代表性的應用，即便如此，也是在近幾年才推出具有傑出性能表現的元件。
利用常溫製造
其中的代表案例即是OMRON所推出的氣壓感測器產品（圖一）。OMRON 於 2012年利用常溫接合技術中的表面活性化接合技術（SAB），研發出一款 MEMS 氣壓感測器。第一代產品相對高度之識別精度為 50cm，是當時市場上性能最好的產品。會使用SAB技術的原因，即在於可於常溫條件下進行接合製程。
圖一、利用SAB法製作氣壓感測器
OMRON 氣壓感測器的結構，主要由已先形成隔膜（Diaphragm）的上部元件與真空封裝的下部基板組成。OMRON 將兩種元件分別製作，最後以真空的方式接合（圖一(b)）。因上部元件與下部基板同為矽材料，所以若於兩者接合時加熱，就會做出與原始設計相異的產品。所以利用非常薄的隔膜先於周圍膨脹，然後再施加應力使兩者貼合。若使用熱貼合的話，可能在晶圓上有的不同位置出現熱不均，因而造成產品特性不均一，所以必須使用常溫的接合技術。另一方面，接合面並不需導電，而且也不需要高位置精度。OMRON 研發人員即表示「上部元件雖具有細微的結構，不過下部基板並不需要圖形化（Patterning）」。
最新產品識別精度 10cm
第一代氣壓感測器除了可以作為活動的量測用途元件之外，也可以做為取得位置資訊的感測器，並已成功應用在智慧型手機上。時至 2015年，OMRON 推出可識別之相對高度精度達到 10cm 的新產品。該等級的精度作為民生品用途的感測器，已稱得上是世界最高水準。研發團隊表示，下一代產品將以相對高度精度 5cm 為研發目標。
材料選用的限制解除 實現低成本的化合物半導體
繼 MEMS 之後，將次世代接合技術更進一步推向實用化，可歸功於將 pn 多層堆疊後的多接合太陽電池之應用。因其接合面雖然會通過電流，但是材料本身的電阻率也比相對較高，所以接合面的電阻值一點都不會成為阻礙，再加上接合面的圖形（Pattern）也並不那麼精細，所以不會衍生出其他問題。
次世代接合技術發展歸功於多接合太陽電池，因此有非常顯著的進步。以往將多層 pn 接合時，多採用外延成長（Epitaxial Growth）的方法，也就是從下層材料上持續長晶並多層堆疊的手法。理論上堆積越多層，就可以減少太陽光的耗損率，因此有助於轉換效率的提升。不過 ---以上為部分節錄資料，完整內容請見下方附檔。
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